对比图
型号 IXFH60N50P3 STY60NM50 IRFPS37N50APBF
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH60N50P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 500 V, 0.1 ohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STY60NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 500 V, 50 mohm, 10 V, 4 V功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 SUPER-247
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.1 Ω 0.05 Ω 0.13 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.04 kW 560 W 446 W
阈值电压 5 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 60A 60.0 A 36.0 A
上升时间 16 ns 58 ns -
输入电容(Ciss) 6250pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds) 5579pF @25V(Vds)
下降时间 8 ns 46 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 1040W (Tc) 560W (Tc) -
额定功率 - - 446 W
额定功率(Max) - 560 W 446 W
额定电压(DC) - 500 V -
额定电流 - 60.0 A -
漏源击穿电压 - 500 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
长度 16.26 mm - -
宽度 5.3 mm 5.3 mm -
高度 21.46 mm - -
封装 TO-247-3 TO-247-3 SUPER-247
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -