IXFK180N15P

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IXFK180N15P概述

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFK180N15P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 180 A, 150 V, 11 mohm, 10 V, 5 V

通孔 N 通道 150 V 180A(Tc) 830W(Tc) TO-264AA(IXFK)


得捷:
MOSFET N-CH 150V 180A TO264AA


e络盟:
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFK180N15P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 180 A, 150 V, 11 mohm, 10 V, 5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin3+Tab TO-264AA


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin3+Tab TO-264


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin3+Tab TO-264AA


IXFK180N15P中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.011 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 830 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 180 A

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 7000pF @25VVds

额定功率Max 830 W

下降时间 36 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 830W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

宽度 5.13 mm

高度 26.16 mm

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买IXFK180N15P
型号: IXFK180N15P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFK180N15P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 180 A, 150 V, 11 mohm, 10 V, 5 V
替代型号IXFK180N15P
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