IPB019N06L3 G概述
INFINEON IPB019N06L3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 1.7 V
Summary of Features:
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- Excellent gate charge x R DSon product FOM
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- Very low on-resistance R DSon
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- Ideal for fast switching applications
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- RoHS compliant - halogen free
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- MSL1 rated
Benefits:
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- Highest system efficiency
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- Less paralleling required
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- Increased power density
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- System cost reduction
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- Very low voltage overshoot
IPB019N06L3 G中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0016 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 250 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 79 ns
输入电容Ciss 28000pF @30VVds
下降时间 38 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Or-ing switches, Isolated DC-DC converters, Synchronous rectification
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IPB019N06L3 G
型号： IPB019N06L3 G
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IPB019N06L3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 1.7 V