IPW50R399CP

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IPW50R399CP中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 399 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 560 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

上升时间 14 ns

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPW50R399CP
型号: IPW50R399CP
制造商: Infineon 英飞凌
描述:的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor

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