MOSFET N-CH 100V 18A
Benefits:
耗散功率 3.8W Ta, 132W Tc
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 2116pF @50VVds
耗散功率Max 3.8W Ta, 132W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 PQFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅
数据手册