IPU09N03LBG

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IPU09N03LBG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 50.0 A

输入电容 1.60 nF

栅电荷 13.0 nC

漏源极电压Vds 30.0 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251

外形尺寸

封装 TO-251

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IPU09N03LBG
制造商: Infineon 英飞凌
描述:OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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