IPB120N10S405ATMA1

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IPB120N10S405ATMA1概述

N沟道 100V 120A

Summary of Features:

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N-channel - Normal Level - Enhancement mode
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AEC Q101 qualified
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MSL1 up to 260°C peak reflow
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175°C operating temperature
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Green Product RoHS compliant
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100% Avalanche tested

欧时:
Infineon IPB120N10S405ATMA1


立创商城:
N沟道 100V 120A


得捷:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK


贸泽:
MOSFET N-CHANNEL 100+


艾睿:
OptiMOS T2 Power-Transistor


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK / N-Channel 100 V 120A Tc 190W Tc Surface Mount PG-TO263-3


IPB120N10S405ATMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 190W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 6540pF @25VVds

下降时间 35 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPB120N10S405ATMA1
型号: IPB120N10S405ATMA1
描述:N沟道 100V 120A

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