N沟道 100V 120A
Summary of Features:
欧时:
Infineon IPB120N10S405ATMA1
立创商城:
N沟道 100V 120A
得捷:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
贸泽:
MOSFET N-CHANNEL 100+
艾睿:
OptiMOS T2 Power-Transistor
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK / N-Channel 100 V 120A Tc 190W Tc Surface Mount PG-TO263-3
极性 N-CH
耗散功率 190W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 6540pF @25VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅