IPB100N04S2-04

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IPB100N04S2-04概述

OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor

Summary of Features:

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N-channel - Enhancement mode
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Automotive AEC Q101 qualified
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MSL1 up to 260°C peak reflow
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175°C operating temperature
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Green package lead free
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Ultra low Rdson
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100% Avalanche tested

Benefits:

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world"s lowest RDS at 40V on
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highest current capability
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lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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robust packages with superior quality and reliability
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Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPB100N04S2-04中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 46 ns

输入电容Ciss 5300pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 33 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 OptiMOS-T2 40V addresses all kind of EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, elec, Thus OptiMOS-T2 40V products based on Infineon’s advanced trench technology will be the benchmark for next generation of automotive applications in energy efficiency, CO2 reduction, e-drives.

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB100N04S2-04
型号: IPB100N04S2-04
描述:OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor
替代型号IPB100N04S2-04
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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