IPB100N04S2-04和IPB100N04S3-03

对比图

型号 IPB100N04S2-04 IPB100N04S3-03 SPB100N04S2-04

描述 OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 300 W 214 W 300W (Tc)

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 100A 100A 100 A

上升时间 46 ns 16 ns -

输入电容(Ciss) 5300pF @25V(Vds) 9600pF @25V(Vds) 7220pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 214 W 300 W

下降时间 33 ns 17 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 214W (Tc) 300W (Tc)

额定电压(DC) - - 40.0 V

额定电流 - - 100 A

输入电容 - - 7.22 nF

栅电荷 - - 172 nC

长度 10 mm 10 mm -

宽度 9.25 mm 9.25 mm -

高度 4.4 mm 4.4 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

产品生命周期 Active Not Recommended Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 -