IPD50N04S309ATMA1概述
N沟道 40V 50A
表面贴装型 N 通道 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
立创商城:
N沟道 40V 50A
贸泽:
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin2+Tab TO-252
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
IPD50N04S309ATMA1中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 63W Tc
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 1750pF @25VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 63W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Body applications, OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching 3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control.
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
在线购买IPD50N04S309ATMA1