IS42S32800J-6BL-TR

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IS42S32800J-6BL-TR概述

动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA 8mmx13mm, T&R

SDRAM Memory IC 256Mb 8M x 32 Parallel 166MHz 5.4ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA


立创商城:
IS42S32800J 6BL TR


贸泽:
动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA 8mmx13mm, T&R


艾睿:
8M X 32 256 MB Synchronous DRAM


安富利:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 8M x 32 3.3V 90-Pin TF-BGA T/R


IS42S32800J-6BL-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间 5.4 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42S32800J-6BL-TR
型号: IS42S32800J-6BL-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA 8mmx13mm, T&R
替代型号IS42S32800J-6BL-TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS42S32800J-6BL-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

当前型号

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