Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R280C6XKSA1, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3
欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R280C6XKSA1, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 700V 13.8A TO220-3 CoolMOS C6
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
额定功率 104 W
极性 N-CH
耗散功率 104 W
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 13.8A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 950pF @100VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 104W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPP65R280C6XKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPP15N65C3 英飞凌 | 类似代替 | IPP65R280C6XKSA1和SPP15N65C3的区别 |
IPP65R280C6 英飞凌 | 类似代替 | IPP65R280C6XKSA1和IPP65R280C6的区别 |
SPP15N65C3HKSA1 英飞凌 | 功能相似 | IPP65R280C6XKSA1和SPP15N65C3HKSA1的区别 |