对比图
型号 IPP65R280C6XKSA1 SPP15N65C3 SPP15N65C3HKSA1
描述 Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R280C6XKSA1, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装CoolMOSTM功率晶体管特性高的峰值电流能力 CoolMOSTM Power Transistor Features High peak current capabilityTO-220 N-CH 650V 15A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3-1
额定功率 104 W - -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 104 W 156 W 156W (Tc)
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 13.8A 15.0 A 15A
上升时间 11 ns 14 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 950pF @100V(Vds) - 1600pF @25V(Vds)
下降时间 12 ns 11 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 104W (Tc) - 156W (Tc)
长度 10.36 mm 10 mm -
宽度 4.57 mm 4.4 mm -
高度 15.95 mm 15.65 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3-1
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free