IPA60R280P6XKSA1

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IPA60R280P6XKSA1概述

INFINEON  IPA60R280P6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V

CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET

**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。


得捷:
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP


欧时:
Infineon CoolMOS P6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R280P6XKSA1, 13.8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 13.8 A, 0.252 ohm, TO-220FP, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600MinV 7.7A 3-Pin TO-220 FP Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# INFINEON  IPA60R280P6XKSA1  MOSFET Transistor, N Channel, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V


IPA60R280P6XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 32 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.252 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 32 W

阈值电压 4 V

输入电容 1190 pF

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 13.8A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 1190pF @100VVds

额定功率Max 32 W

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 32W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.9 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 PWM stages TTF, LLC for, , telecom rectifier,, PFC stages for

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPA60R280P6XKSA1
型号: IPA60R280P6XKSA1
描述:INFINEON  IPA60R280P6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V
替代型号IPA60R280P6XKSA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPA60R280P6XKSA1

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

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