IPA60R280P6XKSA1和SIHF15N60E-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPA60R280P6XKSA1 SIHF15N60E-E3 STF18NM60N

描述 INFINEON  IPA60R280P6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 VVISHAY  SIHF15N60E-E3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V600V,0.26Ω,13A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 中高压MOS管中高压MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.252 Ω 0.23 Ω 0.26 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 32 W 34 W 30 W

阈值电压 4 V 2 V 3 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

上升时间 6 ns 51 ns 15 ns

下降时间 6 ns 33 ns 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 650 V

连续漏极电流(Ids) 13.8A - 13A

输入电容(Ciss) 1190pF @100V(Vds) - 1000pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 32 W - 30 W

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 32W (Tc) - 30W (Tc)

额定功率 32 W - -

输入电容 1190 pF - -

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

长度 10.65 mm - -

宽度 4.9 mm - -

高度 16.15 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 Tube Tube Tube

产品生命周期 Active - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2014/06/16

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