晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V
表面贴装型 N 通道 650 V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin TO-252 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
额定功率 62.5 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.594 Ω
极性 N-CH
耗散功率 62.5 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 615pF @100VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62.5W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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