IPD65R660CFDATMA1

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IPD65R660CFDATMA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V

表面贴装型 N 通道 650 V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3


贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin TO-252 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3


IPD65R660CFDATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 62.5 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.594 Ω

极性 N-CH

耗散功率 62.5 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 6A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 615pF @100VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 62.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPD65R660CFDATMA1
型号: IPD65R660CFDATMA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V
替代型号IPD65R660CFDATMA1
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