对比图
型号 IPD65R660CFDATMA1 IPD65R660CFDBTMA1 IPD65R660CFDAATMA1
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3DPAK N-CH 650V 6A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 62.5 W 62.5 W -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.594 Ω 0.594 Ω -
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 62.5 W 62.5W (Tc) 62.5 W
阈值电压 3.5 V 4 V -
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 6A 6A 6A
上升时间 8 ns 8 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 615pF @100V(Vds) 615pF @100V(Vds) 543pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 62.5 W -
下降时间 10 ns 10 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 62.5W (Tc) 62.5W (Tc) 62500 mW
通道数 1 - -
长度 6.5 mm 6.5 mm -
宽度 6.22 mm 6.22 mm -
高度 2.3 mm 2.3 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free 无铅