单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
得捷:
MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP114N12N3GXKSA1, 75 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 120 V, 0.0098 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 300A; 136W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 75A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
额定功率 136 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0098 Ω
极性 N-CH
耗散功率 136 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 120 V
连续漏极电流Ids 75A
上升时间 36 ns
输入电容Ciss 3240pF @60VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 136W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
制造应用 Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Class D audio amplifiers, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free