INFINEON IGP50N60TXKSA1 单晶体管, IGBT, 50 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
TrenchStop IGBT ,600 和 650V
一系列 Infineon IGBT 晶体管,集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V,采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。
集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
极低的 VCEsat
低断开损耗
短尾线电流
低 EMI
最大接点温度为 175°C
欧时:
Infineon IGP50N60TXKSA1 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
得捷:
IGBT 600V 100A 333W TO220-3
贸泽:
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
e络盟:
单晶体管, IGBT, 50 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin3+Tab TO-220AB
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# INFINEON IGP50N60TXKSA1 IGBT Single Transistor, 100 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-220, 3 Pins
Win Source:
IGBT 600V 100A 333W TO220-3 / IGBT Trench Field Stop 600 V 100 A 333 W Through Hole PG-TO220-3-1
针脚数 3
耗散功率 333 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 333 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 333000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 电源管理, 替代能源, 工业, HVAC, Other hard switching applications, Consumer Electronics, 消费电子产品, Alternative Energy, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99