IS42RM32400H-6BLI-TR

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IS42RM32400H-6BLI-TR概述

动态随机存取存储器 128M, 2.5V, M-S动态随机存取存储器 4Mx32, 166Mhz, RoHS

Memory IC 128Mb 4M x 32 Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA 8x13


立创商城:
IS42RM32400H 6BLI TR


得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 128M, 2.5V, M-S动态随机存取存储器 4Mx32, 166Mhz, RoHS


艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 4Mx32 2.5V 90-Pin TFBGA T/R


安富利:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 4Mx32 2.5V 90-Pin TF-BGA T/R


IS42RM32400H-6BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间 5.5 ns

存取时间Max 6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42RM32400H-6BLI-TR
型号: IS42RM32400H-6BLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 128M, 2.5V, M-S动态随机存取存储器 4Mx32, 166Mhz, RoHS
替代型号IS42RM32400H-6BLI-TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS42RM32400H-6BLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

当前型号

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IS42RM32400G-6BLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

功能相似

IS42RM32400H-6BLI-TR和IS42RM32400G-6BLI-TR的区别

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