IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES
IGBT - 650 V 70 A 273 W 通孔 TO-247AD
得捷:
IGBT 650V 70A 273W TO247AD
贸泽:
IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 273000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD Tube
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 3-Pin TO-247AD Tube
耗散功率 273000 mW
击穿电压集电极-发射极 650 V
反向恢复时间 150 ns
额定功率Max 273 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 273000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.7 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRGP4750D-EPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
STGW60H65DFB 意法半导体 | 功能相似 | IRGP4750D-EPBF和STGW60H65DFB的区别 |