对比图
型号 IRGP4750D-EPBF STGW60H65DFB
描述 IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES650V,80A,IGBT带二极管
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3
耗散功率 273000 mW 375 W
击穿电压(集电极-发射极) 650 V 650 V
反向恢复时间 150 ns 60 ns
额定功率(Max) 273 W 375 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 273000 mW 375 W
针脚数 - 3
长度 15.87 mm 15.75 mm
宽度 5.31 mm 5.15 mm
高度 20.7 mm 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99