Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 38000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R
IGBT 600V 8.5A 38W Surface Mount D-Pak
得捷:
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 38000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
耗散功率 38000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 28 ns
额定功率Max 38 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 38000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting HID
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRG4RC10UDTRP Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRG4RC10UDTRLP 英飞凌 | 完全替代 | IRG4RC10UDTRP和IRG4RC10UDTRLP的区别 |