对比图
型号 IRG4RC10UDTRLP IRG4RC10UDTRP IRG4RC10UDTRRP
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 38000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/RTrans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 38000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/RTrans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 38000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
耗散功率 38000 mW 38000 mW 38000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
反向恢复时间 28 ns 28 ns 28 ns
额定功率(Max) 38 W 38 W 38 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 38000 mW 38000 mW 38000 mW
额定功率 38 W - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99