DPAK N-CH 100V 56A
Benefits:
得捷:
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
贸泽:
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 69nC
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 56A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
额定功率 140 W
极性 N-CH
耗散功率 140 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 56A
上升时间 43 ns
输入电容Ciss 2930pF @25VVds
下降时间 42 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 140W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting LED
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRFR3710ZTRRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFR3710ZPBF 英飞凌 | 完全替代 | IRFR3710ZTRRPBF和IRFR3710ZPBF的区别 |
IRFR3710ZTRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRFR3710ZTRRPBF和IRFR3710ZTRPBF的区别 |
IRFR3710ZTRLPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRFR3710ZTRRPBF和IRFR3710ZTRLPBF的区别 |