对比图
型号 IRFR3710ZPBF IRFR3710ZTRRPBF IRFR3410PBF
描述 INFINEON IRFR3710ZPBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 VDPAK N-CH 100V 56AINFINEON IRFR3410PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 39 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 140 W 140 W 110 W
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.018 Ω - 0.039 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 140 W 140 W 110 W
阈值电压 4 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 56A 56A 31A
上升时间 43 ns 43 ns 27 ns
输入电容(Ciss) 2930pF @25V(Vds) 2930pF @25V(Vds) 1690pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 3 W
下降时间 42 ns 42 ns 13 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc)
输入电容 2930pF @25V - -
漏源击穿电压 100 V - -
长度 6.73 mm 6.5 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.3 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -