IXFH52N50P2

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IXFH52N50P2概述

N沟道 500V 52A

N-Channel 500V 52A Tc 960W Tc Through Hole TO-247AD IXFH


立创商城:
N沟道 500V 52A


得捷:
MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 52A 3-Pin3+Tab TO-247


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 52A TO247


IXFH52N50P2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 960W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 52A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 6800pF @25VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 960W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFH52N50P2
型号: IXFH52N50P2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N沟道 500V 52A
替代型号IXFH52N50P2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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IXYS Semiconductor

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完全替代

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