IXFA180N10T2参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFA180N10T2概述

TO-263AA N-CH 100V 180A

N-Channel 100V 180A Tc 480W Tc Surface Mount TO-263 IXFA

得捷:
MOSFET N-CH 100V 180A TO263

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin2+Tab TO-263AB

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin2+Tab D2PAK

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA

IXFA180N10T2中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 480 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 180A

上升时间 37 ns

输入电容Ciss 10500pF @25VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 480W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFA180N10T2

型号： IXFA180N10T2

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-263AA N-CH 100V 180A

替代型号IXFA180N10T2