IXTP3N100P

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IXTP3N100P概述

N沟道 1kV 3A

N-Channel 1000V 3A Tc 125W Tc Through Hole TO-220AB


立创商城:
N沟道 1kV 3A


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin3+Tab TO-220


IXTP3N100P中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 1000 V

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 1100pF @25VVds

下降时间 29 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP3N100P
型号: IXTP3N100P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N沟道 1kV 3A
替代型号IXTP3N100P
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