TO-268 N-CH 800V 24A
表面贴装型 N 通道 800 V 24A（Tc） 650W（Tc） TO-268AA
得捷:
MOSFET N-CH 800V 24A TO268
贸泽:
MOSFET 24 Amps 800V 0.4 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin2+Tab TO-268
通道数 1
漏源极电阻 400 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 650 W
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
连续漏极电流Ids 24A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 7200pF @25VVds
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 650W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFT24N80P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXFT23N80Q IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFT24N80P和IXFT23N80Q的区别 |
IXFH24N80P IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXFT24N80P和IXFH24N80P的区别 |
IXFH23N80Q IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXFT24N80P和IXFH23N80Q的区别 |