IXFH6N120P

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IXFH6N120P概述

通孔 N 通道 1200V 6A(Tc) 250W(Tc) TO-247AD(IXFH)

通孔 N 通道 6A(Tc) 250W(Tc) TO-247AD(IXFH)


得捷:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD


贸泽:
MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-247


Win Source:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247


IXFH6N120P中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 2.75 Ω

极性 N-CH

耗散功率 250 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 1200 V

漏源击穿电压 1200 V

连续漏极电流Ids 6A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 2830pF @25VVds

额定功率Max 250 W

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFH6N120P
型号: IXFH6N120P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:通孔 N 通道 1200V 6A(Tc) 250W(Tc) TO-247AD(IXFH)
替代型号IXFH6N120P
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