IXTA3N60P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTA3N60P概述

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3Pin2+Tab TO-263

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin2+Tab TO-263

得捷:
MOSFET N-CH 600V 3A TO263

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin2+Tab D2PAK

Online Components:
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin2+Tab TO-263

IXTA3N60P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 3.00 A

耗散功率 70W Tc

输入电容 411 pF

栅电荷 9.80 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

输入电容Ciss 411pF @25VVds

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXTA3N60P

型号： IXTA3N60P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3Pin2+Tab TO-263

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