IXTT360N055T2

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IXTT360N055T2概述

TO-268 N-CH 55V 360A

表面贴装型 N 通道 55 V 360A(Tc) 935W(Tc) TO-268AA


得捷:
MOSFET N-CH 55V 360A TO268


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 360A 3-Pin2+Tab TO-268


DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 360A TO268


IXTT360N055T2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 935W Tc

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 360A

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 20000pF @25VVds

下降时间 56 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 935W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTT360N055T2
型号: IXTT360N055T2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-268 N-CH 55V 360A
替代型号IXTT360N055T2
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IXYS Semiconductor

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