IXFT24N50Q参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFT24N50Q概述

Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3Pin2+Tab TO-268

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg ,High dv/dt

Features

IXYS advanced low Qg process

International standard packages

Low RDS on

Unclamped Inductive Switching UIS rated

Fast switching

Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification

得捷:
MOSFET N-CH 500V 24A TO268

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin2+Tab TO-268

Win Source:
HiPerFET Power MOSFETs

IXFT24N50Q中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 3900pF @25VVds

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFT24N50Q

型号： IXFT24N50Q

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3Pin2+Tab TO-268

替代型号IXFT24N50Q