IXFN48N50Q

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IXFN48N50Q概述

Trans MOSFET N-CH 500V 48A 4Pin SOT-227B

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg , High dv/dt

Features

•IXYS advanced low Qg process

•Low gate charge and capacitances

\- easier to drive

-faster switching

•Unclamped Inductive Switching UIS rated

•Low RDS on

•Fast intrinsic diode

•International standard package

•miniBLOC with Aluminium nitride

isolation for low thermal resistance

•Low terminal inductance <10 nH and

stray capacitance to heatsink <35pf

•Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

IXFN48N50Q中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 500 W

漏源极电压Vds 500 V

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 7000pF @25VVds

额定功率Max 500 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXFN48N50Q
型号: IXFN48N50Q
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans MOSFET N-CH 500V 48A 4Pin SOT-227B
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