IXFH74N20P

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IXFH74N20P概述

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IXFH74N20P中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 34 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 480 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

连续漏极电流Ids 74A

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 3300pF @25VVds

额定功率Max 480 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 480W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFH74N20P
型号: IXFH74N20P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列 IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
替代型号IXFH74N20P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXFH74N20P

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IXTT74N20P

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完全替代

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