IXFH12N120

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IXFH12N120概述

TO-247AD N-CH 1200V 12A

N-Channel 1200V 12A Tc 500W Tc Through Hole TO-247AD IXFH


得捷:
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin3+Tab TO-247AD


IXFH12N120中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 500W Tc

漏源极电压Vds 1200 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 3400pF @25VVds

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFH12N120
型号: IXFH12N120
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-247AD N-CH 1200V 12A
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