150V 62A PolarHT N沟道 功率 Mosfet TO-3P
N-Channel 150V 62A Tc 350W Tc Through Hole TO-3P
得捷:
MOSFET N-CH 150V 62A TO3P
贸泽:
MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin3+Tab TO-3P
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO3P
Win Source:
MOSFET N-CH 150V 62A TO-3P
极性 N-CH
耗散功率 350 W
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 62A
上升时间 38 ns
输入电容Ciss 2250pF @25VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
长度 15.8 mm
宽度 4.9 mm
高度 20.3 mm
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXTQ62N15P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTP62N15P IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTQ62N15P和IXTP62N15P的区别 |
IXTA62N15P IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTQ62N15P和IXTA62N15P的区别 |
2SK3592-01SJ 富士电机 | 功能相似 | IXTQ62N15P和2SK3592-01SJ的区别 |