IXFQ50N50P3概述
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列
一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™
### MOSFET ，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
得捷:
MOSFET N-CH 500V 50A TO3P
欧时:
### N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
贸泽:
MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
IXFQ50N50P3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 125 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 960W Tc
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 50A
输入电容Ciss 4335pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 960W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 15.8 mm
宽度 4.9 mm
高度 20.3 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IXFQ50N50P3
型号： IXFQ50N50P3
制造商：
IXYS Semiconductor
描述：N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列 一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™