N-Channel 55V 200A 4.2mΩ Surface Mount TrenchT2 Power Mosfet - TO-263
表面贴装型 N 通道 200A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
得捷:
MOSFET N-CH 55V 200A TO263
贸泽:
MOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds
DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 200A TO-263
通道数 1
漏源极电阻 3.3 mΩ
耗散功率 360 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 6800pF @25VVds
下降时间 27 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-263-3
长度 9.65 mm
宽度 10.41 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXTA200N055T2 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
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