N沟道 100V 180A
N-Channel 100V 180A Tc Through Hole TO-247 IXTH
得捷:
MOSFET N-CH 100V 180A TO247
立创商城:
N沟道 100V 180A
贸泽:
MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin3+Tab TO-247
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 180A TO-247
通道数 1
漏源极电阻 6.4 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 480 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 180A
上升时间 54 ns
输入电容Ciss 6900pF @25VVds
额定功率Max 480 W
下降时间 31 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 480W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXTH180N10T IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTA180N10T IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXTH180N10T和IXTA180N10T的区别 |
IXTP180N10T IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTH180N10T和IXTP180N10T的区别 |
IXTQ180N10T IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTH180N10T和IXTQ180N10T的区别 |