IXFN26N120P参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXFN26N120P概述

SOT-227B N-CH 1200V 23A

底座安装 N 通道 23A（Tc） 695W（Tc） SOT-227B

得捷:
MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 23A 4-Pin SOT-227B

IXFN26N120P中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 695W Tc

漏源极电压Vds 1200 V

连续漏极电流Ids 23A

输入电容Ciss 14000pF @25VVds

额定功率Max 695 W

耗散功率Max 695W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFN26N120P

型号： IXFN26N120P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：SOT-227B N-CH 1200V 23A