IRFH5302DTRPBF概述
MOSFET 30 V FETky（单片式FET及肖特基二极管） 100 A 2.5 mOhm 26 nC Qg PQFN
Benefits:
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- RoHS Compliant
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- Industry-leading quality
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- Low RDSon less than 1.15 mO
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- Low Thermal Resistance to PCB less than 0.8°C/W
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- 100% Rg tested
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- Low Profile less than 0.9 mm
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- Industry-Standard Pinout
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- Compatible with Existing Surface Mount Techniques
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- Qualified Industrial
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- Qualified MSL1
IRFH5302DTRPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 3.6 W
通道数 1
极性 N-Channel
耗散功率 3.6W Ta, 104W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 29A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 3635pF @25VVds
下降时间 12 ns
耗散功率Max 3.6W Ta, 104W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerVDFN-8
外形尺寸
宽度 5 mm
封装 PowerVDFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Isolated Primary Side MOSFETs
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRFH5302DTRPBF引脚图与封装图 
在线购买IRFH5302DTRPBF
型号： IRFH5302DTRPBF
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：MOSFET 30 V FETky（单片式FET及肖特基二极管） 100 A 2.5 mOhm 26 nC Qg PQFN
替代型号IRFH5302DTRPBF
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFH5302DTRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD17501Q5A 德州仪器 | 功能相似 | IRFH5302DTRPBF和CSD17501Q5A的区别 |