IXTA80N10T

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IXTA80N10T概述

MOSFET N-CH 100V 80A TO-263

N-Channel 100V 80A Tc 230W Tc Surface Mount TO-263 IXTA


得捷:
MOSFET N-CH 100V 80A TO263


贸泽:
MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds


艾睿:
Thanks to Ixys Corporation, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the IXTA80N10T power MOSFET. Its maximum power dissipation is 230000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263


IXTA80N10T中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 14 mΩ

耗散功率 230 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 105 V

上升时间 54 ns

输入电容Ciss 3040pF @25VVds

下降时间 48 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 230W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 9.65 mm

宽度 10.41 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTA80N10T
型号: IXTA80N10T
制造商: IXYS Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO-263

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