IXFX24N100参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFX24N100概述

PLUS N-CH 1000V 24A

N-Channel 1000 V 24A Tc 560W Tc Through Hole PLUS247™-3

得捷:
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 24A 3-Pin3+Tab PLUS 247

Verical:
Trans MOSFET N-CH 1KV 24A 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXFX24N100中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 560 W

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 24A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 8700pF @25VVds

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 560W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFX24N100

型号： IXFX24N100

制造商： IXYS Semiconductor

描述：PLUS N-CH 1000V 24A

替代型号IXFX24N100