IXTH16P60P

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IXTH16P60P概述

TO-247P-CH 600V 16A

通孔 P 通道 600 V 16A(Tc) 460W(Tc) TO-247(IXTH)


得捷:
MOSFET P-CH 600V 16A TO247


贸泽:
MOSFET -16.0 Amps -600V 0.720 Rds


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this IXTH16P60P power MOSFET from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 460000 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Verical:
Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin3+Tab TO-247AD


DeviceMart:
MOSFET P-CH 600V 16A TO-247


Win Source:
MOSFET P-CH 600V 16A TO-247


IXTH16P60P中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 720 mΩ

极性 P-CH

耗散功率 460 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 16A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 5120pF @25VVds

下降时间 38 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 460W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTH16P60P
型号: IXTH16P60P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-247P-CH 600V 16A
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