TO-247P-CH 600V 16A
通孔 P 通道 600 V 16A(Tc) 460W(Tc) TO-247(IXTH)
得捷:
MOSFET P-CH 600V 16A TO247
贸泽:
MOSFET -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this IXTH16P60P power MOSFET from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 460000 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
Verical:
Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin3+Tab TO-247AD
DeviceMart:
MOSFET P-CH 600V 16A TO-247
Win Source:
MOSFET P-CH 600V 16A TO-247
通道数 1
漏源极电阻 720 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 460 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 16A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 5120pF @25VVds
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 460W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IXTH16P60P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTT16P60P IXYS Semiconductor | 完全替代 | IXTH16P60P和IXTT16P60P的区别 |