IXFX30N110P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFX30N110P概述

PLUS N-CH 1100V 30A

通孔 N 通道 30A（Tc） 960W（Tc） PLUS247™-3

得捷:
MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.1KV 30A 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXFX30N110P中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 960W Tc

漏源极电压Vds 1100 V

连续漏极电流Ids 30A

输入电容Ciss 13600pF @25VVds

耗散功率Max 960W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IXFX30N110P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：PLUS N-CH 1100V 30A