IXTA06N120P

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IXTA06N120P概述

N沟道 1.2kV 600mA

N-Channel 1200V 600mA Tc 42W Tc Surface Mount TO-263 IXTA


得捷:
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263


立创商城:
N沟道 1.2kV 600mA


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin2+Tab D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin2+Tab D2PAK


DeviceMart:
MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263


Win Source:
MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263


IXTA06N120P中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 42 W

漏源极电压Vds 1200 V

上升时间 24 ns

输入电容Ciss 270pF @25VVds

额定功率Max 42 W

下降时间 27 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTA06N120P
型号: IXTA06N120P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N沟道 1.2kV 600mA
替代型号IXTA06N120P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXTA06N120P

IXYS Semiconductor

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