N沟道 500V 26A
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin3+Tab TO-3P
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额定电压DC 500 V
额定电流 26.0 A
耗散功率 400W Tc
输入电容 3.60 nF
栅电荷 65.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 26.0 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 3600pF @25VVds
额定功率Max 400 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXTQ26N50P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
STW20NK50Z 意法半导体 | 功能相似 | IXTQ26N50P和STW20NK50Z的区别 |
FQA24N60 安森美 | 功能相似 | IXTQ26N50P和FQA24N60的区别 |