IXTH2R4N120P

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IXTH2R4N120P概述

TO-247 N-CH 1200V 2.4A

通孔 N 通道 1200 V 2.4A(Tc) 125W(Tc) TO-247(IXTH)


得捷:
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO247


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin3+Tab TO-247


Win Source:
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247


IXTH2R4N120P中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 1200 V

连续漏极电流Ids 2.4A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 1207pF @25VVds

下降时间 32 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTH2R4N120P
型号: IXTH2R4N120P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-247 N-CH 1200V 2.4A
替代型号IXTH2R4N120P
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